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　一般財団法人日本規格協会（本部：東京都港区、理事長：朝日弘）が2026年1月に発行した注目のJISを、各規格の発行に至った背景とともにご紹介いたします。

【制定】
電気機械器具の外郭による保護等級（ＩＰコード）
Degrees of protection provided by enclosures (IP Code)

■JIS C 60529はなぜ制定されたのか?

　電気機器の外郭による保護等級（IPコード）の分類に関するJISとしては、2003年に改正されたJIS C 0920が最新版です。その後、対応国際規格であるIEC 60529が2013年に改訂されIPX9（高圧・高温水噴流に対する保護等級）が追加されました。近年、技術進歩や製品の用途拡大などによって電気・電子・医療機器分野の製品規格にもIPX9の適用が広がりつつあるため、関係者から標準化が望まれています。
　このような状況から、対応国際規格との整合を図るとともに、近年の技術の実態に即した内容にする必要があります。また、この規格は、多数の製品規格に引用されているC部門の基本規格であり、既存の規格への影響も大きい規格ですが、逆に将来も踏まえて対応国際規格の番号と同じ5桁のJIS番号とすることによる利便性が非常に大きいと考えられることから、JIS C 60529として制定する必要がありました。

■JIS C 60529の制定に期待されること

　この制定によって、IPコードの等級・試験方法が明確になり、生産者・消費者の両者及び相互理解に寄与することが期待できます。また、対応国際規格と整合することによって、国際貿易の円滑化にも寄与することが期待できます。

【改正】
表面化学分析－全反射蛍光Ｘ線分析法（ＴＸＲＦ）によるシリコンウェーハ表面汚染元素の定量方法
Surface chemical analysis-Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

■JIS K 0148はなぜ改正されたのか?

　この規格は、シリコン鏡面ウェーハ又はエピタキシャルウェーハの表面原子濃度を、全反射蛍光X線分析法(TXRF)によって定量する方法について規定するもので、ISO14706：2000を対応国際規格として、2005年に制定されました。
　この規格は、シリコンウェーハ上のTXRF法による表面汚染の定量法として、現在も変わらず、半導体および電子材料分野において有益な規格であると考えられています 。また、最近では、シリコン（Si）のみならず、炭化ケイ素（SiC） や窒化ガリウム（GaN） 等の化合物半導体基板でもTXRF法が使用されており、新規のTXRF使用者にも参考になる規格です。
　ISO14706は、分析装置の検出器として、シリコンドリフト検出器(SDD)を追加し、さらに校正用参照試料の表面原子濃度の拡張などを行い、2014年に改訂されました。ISO14706との差異を解消し整合化を図るために、JISを改正する必要がありました。

■JIS K 0148の改正に期待されること

　対応国際規格に整合させることによって、最新の技術を反映したより有益で実用的なJISを使用できることとなり、国内産業の国際競争力強化に寄与することが期待できます。

【改正】
適合性評価－日本産業規格への適合性の認証－分野別認証指針（プレキャストコンクリート製品）
Conformity assessment-Conformity assessment for Japanese Industrial Standards-Guidance on a third-party certification system for precast concrete products

■JIS Q 1012はなぜ改正されたのか?

　この規格は、下記JISのJISマーク表示認証を行う際の固有品質管理体制の審査基準等について規定し、産業標準化法関連告示に引用されていますが、JIS A 5308及びJIS Q 1011の2024年改正内容及び最近の実態等を踏まえ、改正する必要がありました。
①JIS A 5371（プレキャスト無筋コンクリート製品）
②JIS A 5372（プレキャスト鉄筋コンクリート製品）
③JIS A 5773（プレキャストプレストレストコンクリート製品）

■JIS Q 1012の改正に期待されること

　この改正によって、JISマーク表示製品の品質及び信頼性の向上、生産の合理化、取引の単純公正化及び使用又は消費の合理化に資することが期待できます。

[日本規格協会]