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JIS K 0160:2009
表面化学分析―シリコンウェーハ表面からの金属の化学的回収方法及び全反射蛍光X線(TXRF)分析法による定量方法
Surface chemical analysis -- Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

発行年月日: 2009-07-20
確認年月日: 2024-10-21
状態: 有効

プレビュー
和文(PDF)
規格概要
気相分解法(VPD法)及び液滴分解法(DADD法)によって,作業用参照試料であるシリコンウェーハ上の鉄及び/又はニッケルを回収する化学的前処理方法及び全反射蛍光X線分析法(TXRF分析法)による定量方法について規定。
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公示の種類 確認
履歴 2009-07-20 制定
2014-10-20 確認
2019-10-21 確認
2024-10-21 確認
原案作成団体 一般社団法人 表面化学分析技術国際標準化委員会
ICS 71.040.40
対応国際規格 ISO 17331:2004 (IDT)
引用JIS規格 B9920 ,  K0148 ,  Z8402-2
引用国際規格
ハンドブック 化学分析:2025
備考
正誤票・訂正票
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