JIS K 0160:2009
表面化学分析―シリコンウェーハ表面からの金属の化学的回収方法及び全反射蛍光X線(TXRF)分析法による定量方法
Surface chemical analysis -- Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
発行年月日:
2009-07-20
確認年月日:
2024-10-21
状態:
有効
和文 24ページ
3,410 円(税込) 本体価格:3,100円
- プレビュー
- 和文(PDF)
- 規格概要
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気相分解法(VPD法)及び液滴分解法(DADD法)によって,作業用参照試料であるシリコンウェーハ上の鉄及び/又はニッケルを回収する化学的前処理方法及び全反射蛍光X線分析法(TXRF分析法)による定量方法について規定。全文を表示する
公示の種類 | 確認 |
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履歴 |
2009-07-20 制定 2014-10-20 確認 2019-10-21 確認 2024-10-21 確認
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
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原案作成団体 |
一般社団法人 表面化学分析技術国際標準化委員会 |
ICS |
71.040.40 |
対応国際規格 |
ISO 17331:2004
(IDT)
同等性に関する説明
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引用JIS規格 | B9920 , K0148 , Z8402-2 |
引用国際規格 | |
ハンドブック |
化学分析:2025 |
備考 | |
正誤票・訂正票 |