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JIS K 0156:2018
表面化学分析―二次イオン質量分析法―デルタ多層標準物質を用いたシリコンの深さ校正方法
Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials

発行年月日: 2018-08-20
確認年月日: 2023-10-20
状態: 有効

プレビュー
和文(PDF)
規格概要
デルタ多層標準物質を用いた,50nm未満の浅い領域でのシリコンのSIMS深さ方向分布分析における深さスケールの校正方法について規定。 スパッタリング率が定常状態に達しない表面の遷移領域には適用できない。
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公示の種類 確認
履歴 2018-08-20 制定
2023-10-20 確認
原案作成団体 一般財団法人 日本規格協会
一般社団法人 表面化学分析技術国際標準化委員会
ICS 71.040.40
対応国際規格 ISO 23812:2009 (IDT)
引用JIS規格 K0147-1 ,  K0169
引用国際規格
ハンドブック 化学分析:2025
備考
正誤票・訂正票
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