JIS K 0156:2018
表面化学分析―二次イオン質量分析法―デルタ多層標準物質を用いたシリコンの深さ校正方法
Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials
発行年月日:
2018-08-20
確認年月日:
2023-10-20
状態:
有効
和文 22ページ
2,860 円(税込) 本体価格:2,600円
- プレビュー
- 和文(PDF)
- 規格概要
-
デルタ多層標準物質を用いた,50nm未満の浅い領域でのシリコンのSIMS深さ方向分布分析における深さスケールの校正方法について規定。 スパッタリング率が定常状態に達しない表面の遷移領域には適用できない。全文を表示する
公示の種類 | 確認 |
---|---|
履歴 |
2018-08-20 制定 2023-10-20 確認
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
|
原案作成団体 |
一般財団法人 日本規格協会 一般社団法人 表面化学分析技術国際標準化委員会 |
ICS |
71.040.40 |
対応国際規格 |
ISO 23812:2009
(IDT)
同等性に関する説明
|
引用JIS規格 | K0147-1 , K0169 |
引用国際規格 | |
ハンドブック |
化学分析:2025 |
備考 | |
正誤票・訂正票 |