IEC 63275-2 Ed. 1.0:2022 (b)
半導体素子-炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法-第2部:ボディダイオード動作によるバイポーラ劣化の試験方法
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
発行年月日:
2022-05-11
状態:
有効
邦訳版:
無
英語 20ページ
7,700 円(税込) 本体価格:7,000円
- 規格概要
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IEC 63275-2:2022 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change, on-state resistance change and reverse drain voltage change of silicon carbide (SiC) power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors.全文を表示する
TC |
TC 47 |
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ICS |
31.080.30 |
備考 |