IEC 63275-1 Ed. 1.0:2022 (b)
半導体素子－炭化ケイ素ディスクリート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの信頼性試験方法－第1部：バイアス温度不安定性の試験方法
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
発行年月日：
2022-04-21
状態：
有効
邦訳版：
無
英語 25ページ
15,400 円（税込） 本体価格：14,000円
- 規格概要
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IEC 63275-1:2022 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and measurement (up to 10 h).全文を表示する
| TC |
TC 47 |
|---|---|
| ICS |
31.080.30 |
| 備考 |
