ISO 17560:2014
・表面化学分析-二次イオン形質量分析法-シリコン内のホウ素の深度プロファイリングの方法
Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of boron in silicon
発行年月日:
2014-09-10
状態:
有効
邦訳版:
無
英語 10ページ
12,512 円(税込) 本体価格:11,375円
TC |
ISO/TC 201/SC 6 |
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ICS |
71.040.40 |
対応JIS規格 |
JIS K 0164:2023
(IDT)
同等性に関する説明
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備考 |