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ISO 17560:2014
・表面化学分析-二次イオン形質量分析法-シリコン内のホウ素の深度プロファイリングの方法
Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of boron in silicon

発行年月日: 2014-09-10
状態: 有効
邦訳版: 無

TC ISO/TC 201/SC 6
ICS 71.040.40
対応JIS規格 JIS K 0164:2023 (IDT)
備考
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