JIS H 0617:2024
フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度測定方法
Test method for determination of low carbon impurity concentration in silicon single crystals by photoluminescence spectroscopy
発行年月日:
2024-03-21
状態:
有効
和文 22ページ
2,750 円(税込) 本体価格:2,500円
- プレビュー
- 和文(PDF)
- 規格概要
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フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度の測定方法について規定。格子間酸素濃度が1×1017 atoms/cm3~2×1017 atoms/cm3程度で,導電型がn型で抵抗率が50 Ω・cm程度以上のシリコン単結晶,及び導電型がp型で抵抗率が1 kΩ・cm程度以上のシリコン単結晶に適用可能である。測定濃度範囲は1×1014 atoms/cm3~3×1015 atoms/cm3(2 ppba~60 ppba)である。全文を表示する
公示の種類 | 制定 |
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履歴 |
2024-03-21 制定
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
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原案作成団体 |
一般社団法人 新金属協会 |
ICS |
29.045 73.080 77.120.99 |
対応国際規格 |
同等性に関する説明
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引用JIS規格 | H0615 |
引用国際規格 | |
ハンドブック | |
備考 | |
正誤票・訂正票 |