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JIS H 0617:2024
フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度測定方法
Test method for determination of low carbon impurity concentration in silicon single crystals by photoluminescence spectroscopy

プレビュー
和文(PDF)
規格概要
フォトルミネッセンスによるシリコン単結晶中の低炭素不純物濃度の測定方法について規定。格子間酸素濃度が1×1017 atoms/cm3~2×1017 atoms/cm3程度で,導電型がn型で抵抗率が50 Ω・cm程度以上のシリコン単結晶,及び導電型がp型で抵抗率が1 kΩ・cm程度以上のシリコン単結晶に適用可能である。測定濃度範囲は1×1014 atoms/cm3~3×1015 atoms/cm3(2 ppba~60 ppba)である。
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公示の種類 制定
履歴 2024-03-21 制定
原案作成団体 一般社団法人 新金属協会
ICS 29.045
73.080
77.120.99
対応国際規格
引用JIS規格 H0615
引用国際規格
ハンドブック
備考
正誤票・訂正票
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