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JIS H 0609:1999
選択エッチング法によるシリコンの結晶欠陥の試験方法
Test methods of crystalline defects in silicon by preferential etch techniques

発行年月日: 2000-02-29
確認年月日: 2024-10-21
状態: 有効

プレビュー
和文(PDF)  英訳(PDF)
規格概要
シリコーンウェーハの結晶欠陥を六価クロムを含まない選択エッチング液によって検出し測定する方法について規定。対象は,単結晶ウェーハ,エピタキシャルウェーハ及びこれらの熱酸化ウェーハで,これらの結晶面方位は,{100}面,{111}面及び{511}面の3種類とする。
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公示の種類 確認
履歴 1966-12-01 制定
1969-10-01 確認
1971-10-01 改正
1974-10-01 確認
1978-02-01 確認
1983-10-01 確認
1988-12-01 確認
1994-01-01 改正
1999-11-20 改正
2005-01-20 確認
2009-10-01 確認
2014-10-20 確認
2019-10-21 確認
2024-10-21 確認
原案作成団体 一般社団法人 新金属協会
ICS 31.200
77.120.99
対応国際規格
引用JIS規格 K8355:1994 ,  K8541:1994 ,  K8550:1994 ,  K8819:1996 ,  K8913:1996
引用国際規格
ハンドブック
備考
正誤票・訂正票
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