JIS H 0609:1999
選択エッチング法によるシリコンの結晶欠陥の試験方法
Test methods of crystalline defects in silicon by preferential etch techniques
発行年月日:
2000-02-29
確認年月日:
2024-10-21
状態:
有効
和文 20ページ
2,310 円(税込) 本体価格:2,100円
英訳 17ページ
8,470 円(税込) 本体価格:7,700円
- プレビュー
- 和文(PDF) 英訳(PDF)
- 規格概要
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シリコーンウェーハの結晶欠陥を六価クロムを含まない選択エッチング液によって検出し測定する方法について規定。対象は,単結晶ウェーハ,エピタキシャルウェーハ及びこれらの熱酸化ウェーハで,これらの結晶面方位は,{100}面,{111}面及び{511}面の3種類とする。全文を表示する
公示の種類 | 確認 |
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履歴 |
1966-12-01 制定 1969-10-01 確認 1971-10-01 改正 1974-10-01 確認 1978-02-01 確認 1983-10-01 確認 1988-12-01 確認 1994-01-01 改正 1999-11-20 改正 2005-01-20 確認 2009-10-01 確認 2014-10-20 確認 2019-10-21 確認 2024-10-21 確認
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
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原案作成団体 |
一般社団法人 新金属協会 |
ICS |
31.200 77.120.99 |
対応国際規格 |
同等性に関する説明
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引用JIS規格 | K8355:1994 , K8541:1994 , K8550:1994 , K8819:1996 , K8913:1996 |
引用国際規格 | |
ハンドブック | |
備考 | |
正誤票・訂正票 |