JIS H 0604:1995
シリコン単結晶の光導電減衰法によるライフタイム測定方法
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
発行年月日:
1995-07-31
確認年月日:
2024-10-21
状態:
有効
和文 7ページ
1,100 円(税込) 本体価格:1,000円
英訳 6ページ
3,630 円(税込) 本体価格:3,300円
- 規格概要
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シリコン単結晶中の少数キャリアのバルク再結合ライフタイムを直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定。全文を表示する
公示の種類 | 確認 |
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履歴 |
1965-08-01 制定 1968-06-01 確認 1971-05-01 確認 1974-04-01 確認 1977-04-01 確認 1978-03-01 改正 1983-10-01 確認 1988-12-01 確認 1995-07-01 改正 2000-03-20 確認 2005-01-20 確認 2009-10-01 確認 2014-10-20 確認 2019-10-21 確認 2024-10-21 確認
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
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原案作成団体 |
一般社団法人 新金属協会 |
ICS |
29.045 77.120.99 |
対応国際規格 |
同等性に関する説明
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引用JIS規格 | |
引用国際規格 | |
ハンドブック | |
備考 | |
正誤票・訂正票 |