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JIS H 0604:1995
シリコン単結晶の光導電減衰法によるライフタイム測定方法
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

発行年月日: 1995-07-31
確認年月日: 2024-10-21
状態: 有効

規格概要
シリコン単結晶中の少数キャリアのバルク再結合ライフタイムを直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定。
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公示の種類 確認
履歴 1965-08-01 制定
1968-06-01 確認
1971-05-01 確認
1974-04-01 確認
1977-04-01 確認
1978-03-01 改正
1983-10-01 確認
1988-12-01 確認
1995-07-01 改正
2000-03-20 確認
2005-01-20 確認
2009-10-01 確認
2014-10-20 確認
2019-10-21 確認
2024-10-21 確認
原案作成団体 一般社団法人 新金属協会
ICS 29.045
77.120.99
対応国際規格
引用JIS規格
引用国際規格
ハンドブック
備考
正誤票・訂正票
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