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JIS H 0602:1995
シリコン単結晶及びシリコンウェーハの4探針法による抵抗率測定方法
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe

発行年月日: 1995-11-30
確認年月日: 2020-10-20
状態: 有効

規格概要
シリコン単結晶及びシリコンウェーハの直流4探針法による抵抗率の測定方法について規定。
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公示の種類 確認
履歴 1963-03-01 制定
1966-03-01 確認
1969-03-01 確認
1972-02-01 確認
1975-04-01 確認
1978-04-01 確認
1983-10-01 確認
1988-12-01 確認
1990-01-01 改正
1995-11-01 改正
2001-09-20 確認
2006-01-20 確認
2010-10-01 確認
2015-10-20 確認
2020-10-20 確認
原案作成団体 一般社団法人 新金属協会
ICS 29.045
77.120.99
対応国際規格
引用JIS規格 R6001
引用国際規格
ハンドブック
備考
正誤票・訂正票
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