JIS H 0602:1995
シリコン単結晶及びシリコンウェーハの4探針法による抵抗率測定方法
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
発行年月日:
1995-11-30
確認年月日:
2020-10-20
状態:
有効
和文 14ページ
1,540 円(税込) 本体価格:1,400円
- 規格概要
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シリコン単結晶及びシリコンウェーハの直流4探針法による抵抗率の測定方法について規定。全文を表示する
公示の種類 | 確認 |
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履歴 |
1963-03-01 制定 1966-03-01 確認 1969-03-01 確認 1972-02-01 確認 1975-04-01 確認 1978-04-01 確認 1983-10-01 確認 1988-12-01 確認 1990-01-01 改正 1995-11-01 改正 2001-09-20 確認 2006-01-20 確認 2010-10-01 確認 2015-10-20 確認 2020-10-20 確認
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
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原案作成団体 |
一般社団法人 新金属協会 |
ICS |
29.045 77.120.99 |
対応国際規格 |
同等性に関する説明
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引用JIS規格 | R6001 |
引用国際規格 | |
ハンドブック | |
備考 | |
正誤票・訂正票 |