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JIS C 2162:2010
高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法
Test method of long-term reliability of gate insulator for SiC devices at high temperature

発行年月日: 2010-03-23
確認年月日: 2024-06-20
状態: 有効

プレビュー
規格概要 “高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験”に使用する試験装置,試料の構造,SiC基板中の欠陥の影響を排除する方法及び試験手順について規定。
公示の種類 確認
履歴 2010-03-23 制定
2014-10-20 確認
2019-10-21 確認
2024-06-20 確認
原案作成団体 国立研究開発法人 産業技術総合研究所
ICS 29.035.01
対応国際規格
引用JIS規格
引用国際規格
ハンドブック
備考
正誤票・訂正票
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