JIS C 2162:2010
高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法
Test method of long-term reliability of gate insulator for SiC devices at high temperature
発行年月日:
2010-03-23
確認年月日:
2024-06-20
状態:
有効
和文 10ページ
1,980 円(税込) 本体価格:1,800円
英訳 9ページ
6,050 円(税込) 本体価格:5,500円
- 規格概要
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“高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験”に使用する試験装置,試料の構造,SiC基板中の欠陥の影響を排除する方法及び試験手順について規定。全文を表示する
公示の種類 | 確認 |
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履歴 |
2010-03-23 制定 2014-10-20 確認 2019-10-21 確認 2024-06-20 確認
履歴に関する説明JISは、産業標準化法に基づき、主務大臣が必要と認め制定する国家規格です。JISの制定、確認又は改正の日から5年を経過する日までに、それがなお適正であるか見直しが行われ、主務大臣が確認、改正又は廃止を行います。
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原案作成団体 |
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 |
ICS |
29.035.01 |
対応国際規格 |
同等性に関する説明
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引用JIS規格 | |
引用国際規格 | |
ハンドブック | |
備考 | |
正誤票・訂正票 |