JEITA EDR-4712/600
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 6 :光学検査手法とフォトルミネッセンス法とX線トポグラフ法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 6: The guideline for identifying and evaluating defects in Silicon Carbide Wafers using a combined method of optical inspection, photoluminescence and X-ray topography)
発行年月日:
2026-04-30
状態:
有効
和文 50ページ
13,200 円(税込) 本体価格:12,000円
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| 対応規格 |
同等性に関する説明
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| 引用JIS規格 | |
| 引用規格 | |
| 備考 |