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JEITA EDR-4712/600
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 6 :光学検査手法とフォトルミネッセンス法とX線トポグラフ法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 6: The guideline for identifying and evaluating defects in Silicon Carbide Wafers using a combined method of optical inspection, photoluminescence and X-ray topography)

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規格概要
この技術レポートはSiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法についてまとめたものである。
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ICS
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