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JEITA EDR-4712/500
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 5 :X線トポグラフ法による SiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 5: The measurement method for defects in Silicon Carbide Wafer by X-ray topography)

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規格概要
この技術レポートはSiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 5 :X線トポグラフ法による SiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)についてまとめたものである。
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ICS
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