JEITA EDR-4712/500
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 5 :X線トポグラフ法による SiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 5: The measurement method for defects in Silicon Carbide Wafer by X-ray topography)
発行年月日:
2023-04-01
状態:
有効
和文 36ページ
10,120 円(税込) 本体価格:9,200円
- プレビュー
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- 規格概要
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同等性に関する説明
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| 備考 |