JEITA EDR-4712/400
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 4:光学検査手法とフォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 4: The guideline for identifying and evaluating defects in Silicon Carbide Wafers using a combined method of optical inspection and photoluminescence)
発行年月日:
2020-12-01
状態:
有効
和文 38ページ
10,560 円(税込) 本体価格:9,600円
- プレビュー
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- 規格概要
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同等性に関する説明
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| 備考 |