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JEITA EDR-4712/400
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 4:光学検査手法とフォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 4: The guideline for identifying and evaluating defects in Silicon Carbide Wafers using a combined method of optical inspection and photoluminescence)

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規格概要
この技術レポートはSiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 4:光学検査手法とフォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別)についてまとめたものである。
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ICS
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