JEITA EDR-4712/300
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 3:フォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 3: The measurement method for defects in Silicon Carbide Wafer by photoluminescence)
発行年月日:
2018-03-01
状態:
有効
和文 36ページ
10,120 円(税込) 本体価格:9,200円
- プレビュー
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- 規格概要
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同等性に関する説明
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| 備考 |