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JEITA EDR-4712/300
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 3:フォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 3: The measurement method for defects in Silicon Carbide Wafer by photoluminescence)

発行年月日: 2018-03-01
状態: 有効

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規格概要
この技術レポートはSiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 3:フォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)についてまとめたものである。
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ICS
対応規格
引用JIS規格
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備考
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