JEITA EDR-4712/200
SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 2:光学検査手法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)
Non-destructive recognition procedures of defects in Silicon Carbide Wafers (Part 2: The measurement method for defects in Silicon Carbide Wafer by optical inspection)
発行年月日:
2017-02-01
状態:
有効
和文 38ページ
10,560 円(税込) 本体価格:9,600円
- プレビュー
- 和文(PDF)
- 規格概要
-
この技術レポートはSiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 2:光学検査手法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法)についてまとめたものである。全文を表示する
| ICS | |
|---|---|
| 対応規格 |
同等性に関する説明
|
| 引用JIS規格 | |
| 引用規格 | |
| 備考 |