IEC 63068-3 Ed. 1.0:2020 (b)
半導体素子-電源デバイス用の炭化ケイ素ホモエピタキシャルウエハーの欠陥の非破壊認識基準-第3部:フォトルミネッセンスを利用した欠陥検査方法
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
発行年月日:
2020-07-13
状態:
有効
邦訳版:
無
英語 51ページ
37,620 円(税込) 本体価格:34,200円
- 規格概要
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IEC 63068-3:2020 provides definitions and guidance in use of photoluminescence for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies photoluminescence images and emission spectra to enable the detection and categorization of the defects in SiC homoepitaxial wafers.全文を表示する
TC |
TC 47 |
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ICS |
31.080.99 |
備考 |