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IEC 62373-1 Ed. 1.0:2020 (b)
半導体装置-金属酸化物, 半導体, 電界効果トランジスタ(MOSFET)のバイアス温度安定性テスト-第1部:MOSFETの高速BTI試験
Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

発行年月日: 2020-07-15
状態: 有効
邦訳版: 無

規格概要 IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs).
This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method.
TC TC 47
ICS 31.080.30
備考
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